Infineon Technologies - BAS16E6327HTSA1

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Artikelnummer:
BAS16E6327HTSA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 85V 0.25A
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
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Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAS16E6327HTSA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : BAS16E6327HTSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3
Serie : -
Teilestatus : Last Time Buy
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 80V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 250mA (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.25V @ 150mA
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 4ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 1µA @ 75V
Kapazität @ Vr, F : 2pF @ 0V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package : SOT-23-3
Betriebstemperatur - Übergang : 150°C (Max)

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