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- Artikelnummer:
- TPC8014(TE12L,Q,M)
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - JFETs, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Leistungstreibermodule, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann and Thyristoren - SCRs - Module ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Toshiba Semiconductor and Storage TPC8014(TE12L,Q,M) elektronische Komponenten. TPC8014(TE12L,Q,M) kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu TPC8014(TE12L,Q,M) haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
TPC8014(TE12L,Q,M) Produkteigenschaften
Artikelnummer :
TPC8014(TE12L,Q,M)
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
11A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
14 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
39nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1860pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1W (Ta)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-SOP (5.5x6.0)
Paket / fall :
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
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