BUK9Y3R0-40E,115 Preise (USD) [166801Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- BUK9Y3R0-40E,115
- Hersteller:
- Nexperia USA Inc.
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Leistungstreibermodule, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - RF and Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln ...
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- Wir sind spezialisiert auf Nexperia USA Inc. BUK9Y3R0-40E,115 elektronische Komponenten. BUK9Y3R0-40E,115 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BUK9Y3R0-40E,115 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
BUK9Y3R0-40E,115 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BUK9Y3R0-40E,115
Hersteller :
Nexperia USA Inc.
Beschreibung :
MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK
Serie :
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
35.5nC @ 5V
Vgs (Max) :
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
5962pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
194W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
LFPAK56, Power-SO8
Paket / fall :
SC-100, SOT-669
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