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- Artikelnummer:
- BSH111BKR
- Hersteller:
- Nexperia USA Inc.
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 55V SOT-23.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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BSH111BKR Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BSH111BKR
Hersteller :
Nexperia USA Inc.
Beschreibung :
MOSFET N-CH 55V SOT-23
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
210mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
0.5nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
30pF @ 30V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
302mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-236AB
Paket / fall :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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