BYG22D-M3/TR Preise (USD) [484065Stück Lager]
- 1 pcs$0.07641
- 9,000 pcs$0.06925
- Artikelnummer:
- BYG22D-M3/TR
- Hersteller:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detaillierte Beschreibung:
- DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC. Rectifiers 2A,200V,25nS UF Fast Avalanche,SMD
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF and Transistoren - JFETs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Semiconductor Diodes Division BYG22D-M3/TR elektronische Komponenten. BYG22D-M3/TR kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BYG22D-M3/TR haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
BYG22D-M3/TR Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BYG22D-M3/TR
Hersteller :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung :
DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Teilestatus :
Active
Diodentyp :
Avalanche
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
2A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
1.1V @ 2A
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
25ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
1µA @ 200V
Kapazität @ Vr, F :
-
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
DO-214AC, SMA
Supplier Device Package :
DO-214AC (SMA)
Betriebstemperatur - Übergang :
-55°C ~ 150°C
Neuesten Nachrichten
Sie könnten auch interessiert sein an
-
VS-6EWL06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA. Rectifiers 6A 600V 59ns Ultrafast
-
BAV17-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 20V 250MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching 25 Volt 625mA
-
BAS34-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 60V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching 70 Volt 200mA 2.0 Amp IFSM
-
BAT43-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA DO35. Schottky Diodes & Rectifiers 30 Volt 200mA 4.0 Amp IFSM
-
BAV18-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 250MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching 60 Volt 625mA
-
BAT42-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA DO35. Schottky Diodes & Rectifiers 30 Volt 200mA 4.0 Amp IFSM
Heiße Teile
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08