IXTQ170N10P Preise (USD) [13616Stück Lager]
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- 10 pcs$3.65384
- Artikelnummer:
- IXTQ170N10P
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 170A TO-3P.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - Brückengleichrichter and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf IXYS IXTQ170N10P elektronische Komponenten. IXTQ170N10P kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXTQ170N10P haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IXTQ170N10P Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXTQ170N10P
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 170A TO-3P
Serie :
Polar™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
170A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
198nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
6000pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
715W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-3P
Paket / fall :
TO-3P-3, SC-65-3
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