1N5407G B0G Preise (USD) [1159739Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- 1N5407G B0G
- Hersteller:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Detaillierte Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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1N5407G B0G Produkteigenschaften
Artikelnummer :
1N5407G B0G
Hersteller :
Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
800V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
1V @ 3A
Geschwindigkeit :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
5µA @ 800V
Kapazität @ Vr, F :
25pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
DO-201AD, Axial
Supplier Device Package :
DO-201AD
Betriebstemperatur - Übergang :
-55°C ~ 150°C
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