IXFX38N80Q2 Preise (USD) [3914Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXFX38N80Q2
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 800V 38A PLUS247.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf IXYS IXFX38N80Q2 elektronische Komponenten. IXFX38N80Q2 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXFX38N80Q2 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IXFX38N80Q2 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXFX38N80Q2
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 800V 38A PLUS247
Serie :
HiPerFET™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
38A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
220 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 8mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
190nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
8340pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
735W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PLUS247™-3
Paket / fall :
TO-247-3
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