Toshiba Semiconductor and Storage - TK16A60W5,S4VX

KEY Part #: K6404187

[2098Stück Lager]


    Artikelnummer:
    TK16A60W5,S4VX
    Hersteller:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Zener - Arrays and Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Toshiba Semiconductor and Storage TK16A60W5,S4VX elektronische Komponenten. TK16A60W5,S4VX kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu TK16A60W5,S4VX haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    TK16A60W5,S4VX Produkteigenschaften

    Artikelnummer : TK16A60W5,S4VX
    Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
    Beschreibung : MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS
    Serie : DTMOSIV
    Teilestatus : Active
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 15.8A (Ta)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 7.9A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3.7V @ 1.5mA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 43nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±30V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1350pF @ 300V
    FET-Funktion : Super Junction
    Verlustleistung (max.) : 40W (Tc)
    Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Through Hole
    Supplier Device Package : TO-220SIS
    Paket / fall : TO-220-3 Full Pack

    Sie könnten auch interessiert sein an
    • NP60N04VUK-E1-AY

      Renesas Electronics America

      MOSFET N-CH 40V 60A TO-252.

    • AUIRLR024Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N CH 55V 16A DPAK.

    • AUIRFR4292

      Infineon Technologies

      MOSFET N CH 250V 9.3A DPAK.

    • IRFR7440PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N CH 40V 90A DPAK.

    • TK16A60W5,S4VX

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS.

    • IPA50R380CE

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 500V 9.9A TO220FP.