Microsemi Corporation - APTGT200H120G

KEY Part #: K6533143

APTGT200H120G Preise (USD) [549Stück Lager]

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Artikelnummer:
APTGT200H120G
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - RF, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGT200H120G Produkteigenschaften

Artikelnummer : APTGT200H120G
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : Trench Field Stop
Aufbau : Full Bridge Inverter
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 280A
Leistung max : 890W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 200A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 350µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 14nF @ 25V
Eingang : Standard
NTC-Thermistor : No
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : SP6
Supplier Device Package : SP6

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