Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-ETF075Y60U

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Artikelnummer:
VS-ETF075Y60U
Hersteller:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detaillierte Beschreibung:
IGBT 600V 109A 294W EMIPAK-2B.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
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Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-ETF075Y60U Produkteigenschaften

Artikelnummer : VS-ETF075Y60U
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : IGBT 600V 109A 294W EMIPAK-2B
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : Trench
Aufbau : Three Level Inverter
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 600V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 109A
Leistung max : 294W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 1.93V @ 15V, 75A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 100µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 4.44nF @ 30V
Eingang : Standard
NTC-Thermistor : Yes
Betriebstemperatur : 175°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : EMIPAK-2B
Supplier Device Package : EMIPAK-2B

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