STMicroelectronics - STTH4R06DEE-TR

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Artikelnummer:
STTH4R06DEE-TR
Hersteller:
STMicroelectronics
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 600V 4A POWERFLAT. Diodes - General Purpose, Power, Switching Turbo 2 Ultrafst REC 4A 600V 1.0V VF 30ns
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - JFETs, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - IGBTs - Arrays, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - RF and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf STMicroelectronics STTH4R06DEE-TR elektronische Komponenten. STTH4R06DEE-TR kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu STTH4R06DEE-TR haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STTH4R06DEE-TR Produkteigenschaften

Artikelnummer : STTH4R06DEE-TR
Hersteller : STMicroelectronics
Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 4A POWERFLAT
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 4A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 4A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 50ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 3µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-PowerVDFN
Supplier Device Package : PowerFlat™ (3.3x3.3)
Betriebstemperatur - Übergang : 150°C (Max)

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