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Microsemi Corporation - JAN1N5416

KEY Part #: K6427895

JAN1N5416 Preise (USD) [8548Stück Lager]

  • 1 pcs$4.82104
  • 118 pcs$3.81150
Artikelnummer:
JAN1N5416
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL. ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 3A FAST 100V
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - Zener - Single, Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Leistungstreibermodule ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation JAN1N5416 elektronische Komponenten. JAN1N5416 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu JAN1N5416 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N5416 Produkteigenschaften

Artikelnummer : JAN1N5416
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
Serie : Military, MIL-PRF-19500/411
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 100V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.5V @ 9A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 150ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 1µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : B, Axial
Supplier Device Package : -
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C

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