Rohm Semiconductor - RFN10TF6SFHC9

KEY Part #: K6428785

RFN10TF6SFHC9 Preise (USD) [61934Stück Lager]

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Artikelnummer:
RFN10TF6SFHC9
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
ROHMS FAST RECOVERY DIODES ARE. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600V VR 10A IO ITO-220AC; TO-220NFM
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Leistungstreibermodule, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - Thyristoren, Thyristoren - SCRs - Module and Transistoren - Bipolar (BJT) - RF ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Rohm Semiconductor RFN10TF6SFHC9 elektronische Komponenten. RFN10TF6SFHC9 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu RFN10TF6SFHC9 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RFN10TF6SFHC9 Produkteigenschaften

Artikelnummer : RFN10TF6SFHC9
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : ROHMS FAST RECOVERY DIODES ARE
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 10A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.55V @ 10A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 50ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-220-2 Full Pack
Supplier Device Package : TO-220NFM
Betriebstemperatur - Übergang : 150°C (Max)

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