IGB01N120H2ATMA1 Preise (USD) [119020Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IGB01N120H2ATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 1200V 3.2A 28W TO263-3-2.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - JFETs, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - Zener - Arrays, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - RF and Transistoren - IGBTs - Module ...
- Wettbewerbsvorteil:
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IGB01N120H2ATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IGB01N120H2ATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
IGBT 1200V 3.2A 28W TO263-3-2
Serie :
-
Teilestatus :
Not For New Designs
IGBT-Typ :
-
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
3.2A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) :
3.5A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2.8V @ 15V, 1A
Leistung max :
28W
Energie wechseln :
140µJ
Eingabetyp :
Standard
Gate Charge :
8.6nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C :
13ns/370ns
Testbedingung :
800V, 1A, 241 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package :
PG-TO263-3-2
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