IGB01N120H2ATMA1 Preise (USD) [119020Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IGB01N120H2ATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 1200V 3.2A 28W TO263-3-2.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Zener - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single and Transistoren - Programmierbare Einheit ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IGB01N120H2ATMA1 elektronische Komponenten. IGB01N120H2ATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IGB01N120H2ATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IGB01N120H2ATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IGB01N120H2ATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
IGBT 1200V 3.2A 28W TO263-3-2
Serie :
-
Teilestatus :
Not For New Designs
IGBT-Typ :
-
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
3.2A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) :
3.5A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2.8V @ 15V, 1A
Leistung max :
28W
Energie wechseln :
140µJ
Eingabetyp :
Standard
Gate Charge :
8.6nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C :
13ns/370ns
Testbedingung :
800V, 1A, 241 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package :
PG-TO263-3-2
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