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- Artikelnummer:
- HGT1S20N60A4S9A
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 600V 70A 290W TO263AB.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Programmierbare Einheit, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Brückengleichrichter and Transistoren - IGBTs - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
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HGT1S20N60A4S9A Produkteigenschaften
Artikelnummer :
HGT1S20N60A4S9A
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
IGBT 600V 70A 290W TO263AB
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
IGBT-Typ :
-
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
600V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
70A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) :
280A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2.7V @ 15V, 20A
Leistung max :
290W
Energie wechseln :
105µJ (on), 150µJ (off)
Eingabetyp :
Standard
Gate Charge :
142nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C :
15ns/73ns
Testbedingung :
390V, 20A, 3 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package :
TO-263AB
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