Diodes Incorporated - SBRT3M60P1-7

KEY Part #: K6435239

SBRT3M60P1-7 Preise (USD) [841171Stück Lager]

  • 1 pcs$0.04397
  • 3,000 pcs$0.03994
  • 6,000 pcs$0.03772
  • 15,000 pcs$0.03439
  • 30,000 pcs$0.03217

Artikelnummer:
SBRT3M60P1-7
Hersteller:
Diodes Incorporated
Detaillierte Beschreibung:
DIODE SBR 60V 3A POWERDI123. Schottky Diodes & Rectifiers 3A SBR 60Vrrm 0.59Vf 0.1mA
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Programmierbare Einheit and Dioden - Gleichrichter - Single ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated SBRT3M60P1-7 elektronische Komponenten. SBRT3M60P1-7 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SBRT3M60P1-7 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SBRT3M60P1-7 Produkteigenschaften

Artikelnummer : SBRT3M60P1-7
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : DIODE SBR 60V 3A POWERDI123
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Active
Diodentyp : Super Barrier
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 60V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 590mV @ 3A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 100µA @ 60V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : POWERDI®123
Supplier Device Package : PowerDI™ 123
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 150°C

Sie könnten auch interessiert sein an
  • CRG03(TE85L,Q,M)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE GEN PURP 400V 1A SFLAT.

  • 1SS401(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE SCHOTTKY 20V 300MA SC70. Schottky Diodes & Rectifiers 0.3A 20V 0.16Vf Small Sig Diode

  • SR202HA0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE SCHOTTKY 20V 2A DO204AC. Schottky Diodes & Rectifiers 2A 20V Schottky Rectifier

  • FR207G A0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 2A DO204AC. Rectifiers 500ns 2A 1000V Fast Recov Rectifier

  • FR154G A0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO204AC. Rectifiers 150ns 1.5A 400V Fs Recov Rectifier

  • 1N5395GHA0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO204AC. Rectifiers 1.5A 400V Standard Recov Rectifier