FDP023N08B-F102 Preise (USD) [25834Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FDP023N08B-F102
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Familienkategorien:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDP023N08B-F102 elektronische Komponenten. FDP023N08B-F102 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDP023N08B-F102 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FDP023N08B-F102 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FDP023N08B-F102
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3
Serie :
PowerTrench®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
75V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.35 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.8V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
195nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
13765pF @ 37.5V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
245W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220-3
Paket / fall :
TO-220-3
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