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Microsemi Corporation - JAN1N5802US

KEY Part #: K6426959

JAN1N5802US Preise (USD) [7195Stück Lager]

  • 1 pcs$5.72756
  • 100 pcs$5.14244
Artikelnummer:
JAN1N5802US
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 50V 2.5A D5A. ESD Suppressors / TVS Diodes DIODE 1A 50V TRR 25NS
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Leistungstreibermodule, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF and Dioden - Gleichrichter - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation JAN1N5802US elektronische Komponenten. JAN1N5802US kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu JAN1N5802US haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N5802US Produkteigenschaften

Artikelnummer : JAN1N5802US
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 50V 2.5A D5A
Serie : Military, MIL-PRF-19500/477
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 50V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 2.5A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 975mV @ 2.5A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 25ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 1µA @ 50V
Kapazität @ Vr, F : 25pF @ 10V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SQ-MELF, A
Supplier Device Package : D-5A
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C

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