Vishay Semiconductor Diodes Division - BY229B-600-E3/81

KEY Part #: K6447853

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    Artikelnummer:
    BY229B-600-E3/81
    Hersteller:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Detaillierte Beschreibung:
    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Transistoren - Bipolar (BJT) - Single ...
    Wettbewerbsvorteil:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BY229B-600-E3/81 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : BY229B-600-E3/81
    Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    Diodentyp : Standard
    Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
    Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 8A
    Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.85V @ 20A
    Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Reverse Recovery Time (trr) : 145ns
    Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 600V
    Kapazität @ Vr, F : -
    Befestigungsart : Surface Mount
    Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Supplier Device Package : TO-263AB
    Betriebstemperatur - Übergang : -40°C ~ 150°C

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