Artikelnummer :
BYV10ED-600PJ
Hersteller :
WeEn Semiconductors
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 600V 10A DPAK
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
10A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
2V @ 10A
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
50ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
10µA @ 600V
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package :
DPAK
Betriebstemperatur - Übergang :
175°C (Max)