Artikelnummer :
2N7636-GA
Hersteller :
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung :
TRANS SJT 650V 4A TO276
Technologie :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4A (Tc) (165°C)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
415 mOhm @ 4A
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
324pF @ 35V
Verlustleistung (max.) :
125W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 225°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-276