Vishay Semiconductor Diodes Division - UH1B-M3/5AT

KEY Part #: K6453976

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    Artikelnummer:
    UH1B-M3/5AT
    Hersteller:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Detaillierte Beschreibung:
    DIODE GEN PURP 1A SMA.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - TRIACs, Dioden - Brückengleichrichter, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Gleichrichter - Arrays and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Vishay Semiconductor Diodes Division UH1B-M3/5AT elektronische Komponenten. UH1B-M3/5AT kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu UH1B-M3/5AT haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    UH1B-M3/5AT Produkteigenschaften

    Artikelnummer : UH1B-M3/5AT
    Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Beschreibung : DIODE GEN PURP 1A SMA
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    Diodentyp : Standard
    Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 100V
    Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1A
    Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.05V @ 1A
    Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Reverse Recovery Time (trr) : 30ns
    Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 1µA @ 100V
    Kapazität @ Vr, F : 17pF @ 4V, 1MHz
    Befestigungsart : Surface Mount
    Paket / fall : DO-214AC, SMA
    Supplier Device Package : DO-214AC (SMA)
    Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 175°C

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