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Microsemi Corporation - JAN1N5418US

KEY Part #: K6427914

JAN1N5418US Preise (USD) [7063Stück Lager]

  • 1 pcs$5.86387
  • 100 pcs$5.83469
Artikelnummer:
JAN1N5418US
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 400V 3A D5B. Rectifiers Rectifier
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - JFETs, Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF and Leistungstreibermodule ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation JAN1N5418US elektronische Komponenten. JAN1N5418US kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu JAN1N5418US haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N5418US Produkteigenschaften

Artikelnummer : JAN1N5418US
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 400V 3A D5B
Serie : Military, MIL-PRF-19500/411
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 400V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.5V @ 9A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 150ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 1µA @ 400V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SQ-MELF, B
Supplier Device Package : D-5B
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C

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