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- Artikelnummer:
- SI2321DS-T1-E3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT-23.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - Thyristoren, Leistungstreibermodule, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - IGBTs - Single and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
- Wettbewerbsvorteil:
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SI2321DS-T1-E3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SI2321DS-T1-E3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT-23
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
2.9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
57 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
900mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
13nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
715pF @ 6V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
710mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
SOT-23-3 (TO-236)
Paket / fall :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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