TK6P60W,RVQ Preise (USD) [113220Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- TK6P60W,RVQ
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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TK6P60W,RVQ Produkteigenschaften
Artikelnummer :
TK6P60W,RVQ
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK
Serie :
DTMOSIV
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
6.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
820 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.7V @ 310µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
12nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
390pF @ 300V
FET-Funktion :
Super Junction
Verlustleistung (max.) :
60W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
DPAK
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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