ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43TR81280BL-107MBL-TR

KEY Part #: K937523

IS43TR81280BL-107MBL-TR Preise (USD) [17164Stück Lager]

  • 1 pcs$2.97664
  • 2,000 pcs$2.96183

Artikelnummer:
IS43TR81280BL-107MBL-TR
Hersteller:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Detaillierte Beschreibung:
IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA. DRAM 1G, 1.35V, DDR3L, 128Mx8, 1866MT/s @ 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, T&R
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Speicher - Controller, Logik - Paritätsgeneratoren und Prüfer, Schnittstelle - Serialisierer, Deserialisierer, PMIC - Energieverwaltung - spezialisiert, PMIC - Spannungsregler - Linear + Schalten, Logik - Zähler, Teiler, IC-Chips and PMIC - AC DC Converter, Offline-Umschalter ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81280BL-107MBL-TR elektronische Komponenten. IS43TR81280BL-107MBL-TR kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IS43TR81280BL-107MBL-TR haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43TR81280BL-107MBL-TR Produkteigenschaften

Artikelnummer : IS43TR81280BL-107MBL-TR
Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Beschreibung : IC DRAM 1G PARALLEL 78TWBGA
Serie : -
Teilestatus : Active
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : DRAM
Technologie : SDRAM - DDR3L
Speichergröße : 1Gb (128M x 8)
Taktfrequenz : 933MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 15ns
Zugriffszeit : 20ns
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur : 0°C ~ 95°C (TC)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 78-TFBGA
Supplier Device Package : 78-TWBGA (8x10.5)

Neuesten Nachrichten

Sie könnten auch interessiert sein an
  • MB85RS2MTAPH-G-JNE2

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 40MHZ 8DIP.

  • MB85RS1MTPH-G-JNE1

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 1M SPI 40MHZ 8DIP.

  • 71V25761S183PFGI8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4Mb PBSRAM 128K x 36 w/2.5V I/O Pipeline

  • EDB5432BEBH-1DAUT-F-D

    Micron Technology Inc.

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA.

  • TH58BYG2S3HBAI6

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • S25FS512SDSNFV013

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 512M SPI 80MHZ. NOR Flash Nor