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Microchip Technology - DN2625K4-G

KEY Part #: K6416060

DN2625K4-G Preise (USD) [83376Stück Lager]

  • 1 pcs$0.46897
  • 2,000 pcs$0.40564
Artikelnummer:
DN2625K4-G
Hersteller:
Microchip Technology
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 250V 1.1A 3DPAK.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - TRIACs, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - Gleichrichter - Arrays and Thyristoren - Thyristoren ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microchip Technology DN2625K4-G elektronische Komponenten. DN2625K4-G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu DN2625K4-G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DN2625K4-G Produkteigenschaften

Artikelnummer : DN2625K4-G
Hersteller : Microchip Technology
Beschreibung : MOSFET N-CH 250V 1.1A 3DPAK
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 250V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.1A (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.5 Ohm @ 1A, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 7.04nC @ 1.5V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1000pF @ 25V
FET-Funktion : Depletion Mode
Verlustleistung (max.) : -
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : TO-252, (D-Pak)
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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