IXTP8N65X2 Preise (USD) [71938Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXTP8N65X2
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 650V 8A X2 TO-220.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf IXYS IXTP8N65X2 elektronische Komponenten. IXTP8N65X2 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXTP8N65X2 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IXTP8N65X2 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXTP8N65X2
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 650V 8A X2 TO-220
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
500 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
12nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
800pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
150W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220
Paket / fall :
TO-220-3
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