Artikelnummer :
IRF7322D1TR
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
5.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
62 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
700mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
29nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
780pF @ 15V
FET-Funktion :
Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.) :
2W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-SO
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)