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- Artikelnummer:
- FQI10N20CTU
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 200V 9.5A I2PAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - JFETs, Leistungstreibermodule, Dioden - RF, Transistoren - IGBTs - Arrays and Dioden - Gleichrichter - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
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FQI10N20CTU Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FQI10N20CTU
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 200V 9.5A I2PAK
Serie :
QFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
9.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
360 mOhm @ 4.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
26nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
510pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
72W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
I2PAK (TO-262)
Paket / fall :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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