BSZ025N04LSATMA1 Preise (USD) [153885Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- BSZ025N04LSATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 40V 22A TSDSON-8.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies BSZ025N04LSATMA1 elektronische Komponenten. BSZ025N04LSATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BSZ025N04LSATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
BSZ025N04LSATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BSZ025N04LSATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 40V 22A TSDSON-8
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
22A (Ta), 40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
52nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3680pF @ 20V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.1W (Ta), 69W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TSDSON-8-FL
Paket / fall :
8-PowerTDFN
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