Vishay Semiconductor Diodes Division - EGL34BHE3_A/I

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EGL34BHE3_A/I Preise (USD) [732237Stück Lager]

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Artikelnummer:
EGL34BHE3_A/I
Hersteller:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 0.5A,100V,50NS AEC-Q101 Qualified
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
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Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EGL34BHE3_A/I Produkteigenschaften

Artikelnummer : EGL34BHE3_A/I
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213
Serie : Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 100V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 500mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.25V @ 500mA
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 50ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 5µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F : 7pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : DO-213AA (Glass)
Supplier Device Package : DO-213AA (GL34)
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C

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