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- Artikelnummer:
- APTM100DA18CT1G
- Hersteller:
- Microsemi Corporation
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 1000V 40A SP1.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - IGBTs - Arrays, Thyristoren - TRIACs, Leistungstreibermodule, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays and Dioden - Zener - Single ...
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APTM100DA18CT1G Produkteigenschaften
Artikelnummer :
APTM100DA18CT1G
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
MOSFET N-CH 1000V 40A SP1
Serie :
POWER MOS 8™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
216 mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 2.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
570nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
14800pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
657W (Tc)
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Supplier Device Package :
SP1
Paket / fall :
SP1
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