[25904Stück Lager]
- Artikelnummer:
- K4A4G165WE-BITD
- Hersteller:
- Samsung Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- 4 Gb 256M x 16 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: GDDR5, LPDDR4, LPDDR5, LPDDR4X, MODULE, SLC Nand, HBM Flarebolt and GDDR6 ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Samsung Semiconductor K4A4G165WE-BITD elektronische Komponenten. K4A4G165WE-BITD kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu K4A4G165WE-BITD haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
K4A4G165WE-BITD Produkteigenschaften
Artikelnummer :
K4A4G165WE-BITD
Hersteller :
Samsung Semiconductor
Beschreibung :
4 Gb 256M x 16 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production
Serie :
DDR4
Dichte :
4 Gb
Org. :
256M x 16
Geschwindigkeit :
2666 Mbps
Stromspannung :
1.2 V
Temp. :
-40 ~ 95 °C
Paket :
96FBGA
Produckstatus :
Mass Production
Neuesten Nachrichten
Sie könnten auch interessiert sein an
-
-
-
K4A4G085WE-BITD
Samsung Semiconductor
4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.
-
K4A4G085WF-BCTD
Samsung Semiconductor
4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.
-
-
K4A4G165WE-BCWE
Samsung Semiconductor
4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.