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- Artikelnummer:
- K4A4G165WE-BITD
- Hersteller:
- Samsung Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- 4 Gb 256M x 16 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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K4A4G165WE-BITD Produkteigenschaften
Artikelnummer :
K4A4G165WE-BITD
Hersteller :
Samsung Semiconductor
Beschreibung :
4 Gb 256M x 16 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production
Serie :
DDR4
Dichte :
4 Gb
Org. :
256M x 16
Geschwindigkeit :
2666 Mbps
Stromspannung :
1.2 V
Temp. :
-40 ~ 95 °C
Paket :
96FBGA
Produckstatus :
Mass Production
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