IXTN660N04T4 Preise (USD) [4427Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXTN660N04T4
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- 40V/660A TRENCHT4 PWR MOSFET SOT.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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IXTN660N04T4 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXTN660N04T4
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
40V/660A TRENCHT4 PWR MOSFET SOT
Serie :
TrenchT4™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
660A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
0.85 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
860nC @ 10V
Vgs (Max) :
±15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
44000pF @ 25V
FET-Funktion :
Current Sensing
Verlustleistung (max.) :
1040W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Supplier Device Package :
SOT-227B
Paket / fall :
SOT-227-4, miniBLOC
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