Wenn Ihr Standort nicht aufgeführt ist, wählen Sie eine der folgenden Möglichkeiten:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Wenn Ihr Standort nicht aufgeführt ist, wählen Sie eine der folgenden Möglichkeiten:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Zuhause
  2. Produkte
  3. Diskrete Halbleiterprodukte
  4. Dioden - Gleichrichter - Single
  5. JANTXV1N5551US

Microsemi Corporation - JANTXV1N5551US

KEY Part #: K6432904

JANTXV1N5551US Preise (USD) [4446Stück Lager]

  • 1 pcs$9.74311
  • 100 pcs$8.98621
Artikelnummer:
JANTXV1N5551US
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF. ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 3A STD 400V HRV
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - JFETs, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - RF, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Programmierbare Einheit and Transistoren - Bipolar (BJT) - RF ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation JANTXV1N5551US elektronische Komponenten. JANTXV1N5551US kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu JANTXV1N5551US haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTXV1N5551US Produkteigenschaften

Artikelnummer : JANTXV1N5551US
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF
Serie : Military, MIL-PRF-19500/420
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 400V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.2V @ 9A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 2µs
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 1µA @ 400V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SQ-MELF, B
Supplier Device Package : D-5B
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C

Neuesten Nachrichten

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Sie könnten auch interessiert sein an
  • VS-16F20

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 16A DO203AA. Rectifiers 200 Volt 16 Amp

  • SS2FN6-M3/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 60V Vrrm 2A IF(AV) SMF (DO-219AB)

  • SS2FL3HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO-219AB. Schottky Diodes & Rectifiers If 2A Vrrm 30V AEC-Q101 Qualified

  • SS2FL3-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO-219AB. Schottky Diodes & Rectifiers If 2A Vrrm 30V DO-219AB Ifsm 50A

  • V3F6HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    3A60VSMFTRENCH SKY RECT..

  • SS2FH6-M3/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 2A,60V,SMF SCHOTTKY RECT

Heiße Teile