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Comchip Technology - CDBJSC101200-G

KEY Part #: K6430876

CDBJSC101200-G Preise (USD) [13054Stück Lager]

  • 1 pcs$3.15720
Artikelnummer:
CDBJSC101200-G
Hersteller:
Comchip Technology
Detaillierte Beschreibung:
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 10A 1200V
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Leistungstreibermodule, Thyristoren - TRIACs, Dioden - RF and Transistoren - IGBTs - Module ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Comchip Technology CDBJSC101200-G elektronische Komponenten. CDBJSC101200-G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu CDBJSC101200-G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CDBJSC101200-G Produkteigenschaften

Artikelnummer : CDBJSC101200-G
Hersteller : Comchip Technology
Beschreibung : DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 1200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 10A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 10A
Geschwindigkeit : No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 0ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 100µA @ 1200V
Kapazität @ Vr, F : 780pF @ 0V, 1MHz
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-220-2
Supplier Device Package : TO-220-2
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 175°C

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