Vishay Semiconductor Diodes Division - BYG22AHE3_A/I

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Artikelnummer:
BYG22AHE3_A/I
Hersteller:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detaillierte Beschreibung:
DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC. Rectifiers 2.0A,50V,25NS, AVAL AEC-Q101 Qualified
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - RF, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Thyristoren - Thyristoren and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYG22AHE3_A/I Produkteigenschaften

Artikelnummer : BYG22AHE3_A/I
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : DIODE AVALANCHE 50V 2A DO214AC
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Active
Diodentyp : Avalanche
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 50V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 2A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 2A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 25ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 1µA @ 50V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : DO-214AC, SMA
Supplier Device Package : DO-214AC (SMA)
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C

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