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Microchip Technology - 2N6661

KEY Part #: K6393667

2N6661 Preise (USD) [8196Stück Lager]

  • 1 pcs$5.12534
  • 25 pcs$4.70139
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Artikelnummer:
2N6661
Hersteller:
Microchip Technology
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 90V 350MA 3TO-39.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single, Leistungstreibermodule, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Thyristoren - TRIACs ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microchip Technology 2N6661 elektronische Komponenten. 2N6661 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu 2N6661 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

2N6661 Produkteigenschaften

Artikelnummer : 2N6661
Hersteller : Microchip Technology
Beschreibung : MOSFET N-CH 90V 350MA 3TO-39
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 90V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 350mA (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 50pF @ 24V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 6.25W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-39
Paket / fall : TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
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