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Central Semiconductor Corp - CEDM7001VL TR

KEY Part #: K6416020

CEDM7001VL TR Preise (USD) [875012Stück Lager]

  • 1 pcs$0.04337
  • 8,000 pcs$0.04316
Artikelnummer:
CEDM7001VL TR
Hersteller:
Central Semiconductor Corp
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 0.1A SOT883.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - RF, Thyristoren - Thyristoren, Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - Zener - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Thyristoren - TRIACs and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Central Semiconductor Corp CEDM7001VL TR elektronische Komponenten. CEDM7001VL TR kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu CEDM7001VL TR haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CEDM7001VL TR Produkteigenschaften

Artikelnummer : CEDM7001VL TR
Hersteller : Central Semiconductor Corp
Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 0.1A SOT883
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 100mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 0.57nC @ 4.5V
Vgs (Max) : 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 9pF @ 3V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 100mW (Ta)
Betriebstemperatur : -65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : SOT-883VL
Paket / fall : SC-101, SOT-883
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