Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET P-CH 30V 4.9A SSOT-6
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4.9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
42 mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
24nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1005pF @ 15V
Verlustleistung (max.) :
1.6W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
SuperSOT™-6
Paket / fall :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6