Rohm Semiconductor - RFUH30TS6SGC11

KEY Part #: K6441552

RFUH30TS6SGC11 Preise (USD) [25621Stück Lager]

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Artikelnummer:
RFUH30TS6SGC11
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 600V 15A TO247. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600V Vrm 30A Io Recovery Diode
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - IGBTs - Arrays, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistoren - FETs, MOSFETs - HF ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Rohm Semiconductor RFUH30TS6SGC11 elektronische Komponenten. RFUH30TS6SGC11 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu RFUH30TS6SGC11 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RFUH30TS6SGC11 Produkteigenschaften

Artikelnummer : RFUH30TS6SGC11
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 15A TO247
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 15A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 2.8V @ 30A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 35ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-247-3
Supplier Device Package : TO-247
Betriebstemperatur - Übergang : 150°C (Max)

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