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Comchip Technology - CDBDSC10650-G

KEY Part #: K6441607

CDBDSC10650-G Preise (USD) [19897Stück Lager]

  • 1 pcs$2.07129
Artikelnummer:
CDBDSC10650-G
Hersteller:
Comchip Technology
Detaillierte Beschreibung:
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 10A 650V
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Arrays, Leistungstreibermodule, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Programmierbare Einheit, Thyristoren - Thyristoren, Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single and Dioden - Zener - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Comchip Technology CDBDSC10650-G elektronische Komponenten. CDBDSC10650-G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu CDBDSC10650-G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CDBDSC10650-G Produkteigenschaften

Artikelnummer : CDBDSC10650-G
Hersteller : Comchip Technology
Beschreibung : DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 650V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 33A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 10A
Geschwindigkeit : No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 0ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 100µA @ 650V
Kapazität @ Vr, F : 690pF @ 0V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package : D-PAK (TO-252)
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 175°C

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