Artikelnummer :
VS-2EFH01-M3/I
Hersteller :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 100V 2A DO219AB
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
100V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
2A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
950mV @ 2A
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
24ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
2µA @ 100V
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
DO-219AB (SMF)
Betriebstemperatur - Übergang :
-65°C ~ 175°C