Infineon Technologies - IRD3CH11DB6

KEY Part #: K6442034

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    Artikelnummer:
    IRD3CH11DB6
    Hersteller:
    Infineon Technologies
    Detaillierte Beschreibung:
    DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DIE.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF and Transistoren - IGBTs - Single ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IRD3CH11DB6 elektronische Komponenten. IRD3CH11DB6 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRD3CH11DB6 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRD3CH11DB6 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : IRD3CH11DB6
    Hersteller : Infineon Technologies
    Beschreibung : DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DIE
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    Diodentyp : Standard
    Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 1200V
    Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 25A
    Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 2.7V @ 25A
    Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Reverse Recovery Time (trr) : 190ns
    Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 700nA @ 1200V
    Kapazität @ Vr, F : -
    Befestigungsart : Surface Mount
    Paket / fall : Die
    Supplier Device Package : Die
    Betriebstemperatur - Übergang : -40°C ~ 150°C

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