FZ800R12KS4B2NOSA1 Preise (USD) [85Stück Lager]
- 1 pcs$419.92099
- Artikelnummer:
- FZ800R12KS4B2NOSA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MODULE IGBT A-IHM130-1.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Thyristoren - Thyristoren, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - IGBTs - Module, Leistungstreibermodule and Transistoren - Programmierbare Einheit ...
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FZ800R12KS4B2NOSA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FZ800R12KS4B2NOSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MODULE IGBT A-IHM130-1
Serie :
-
Teilestatus :
Not For New Designs
IGBT-Typ :
-
Aufbau :
Single
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
1200A
Leistung max :
7600W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
3.7V @ 15V, 800A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce :
52nF @ 25V
Eingang :
Standard
NTC-Thermistor :
No
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 125°C
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
Module
Supplier Device Package :
Module
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