FZ800R12KS4B2NOSA1 Preise (USD) [85Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FZ800R12KS4B2NOSA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MODULE IGBT A-IHM130-1.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Leistungstreibermodule, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - Gleichrichter - Arrays and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies FZ800R12KS4B2NOSA1 elektronische Komponenten. FZ800R12KS4B2NOSA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FZ800R12KS4B2NOSA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FZ800R12KS4B2NOSA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FZ800R12KS4B2NOSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MODULE IGBT A-IHM130-1
Serie :
-
Teilestatus :
Not For New Designs
IGBT-Typ :
-
Aufbau :
Single
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
1200A
Leistung max :
7600W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
3.7V @ 15V, 800A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce :
52nF @ 25V
Eingang :
Standard
NTC-Thermistor :
No
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 125°C
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
Module
Supplier Device Package :
Module
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