Microsemi Corporation - APTGFQ25H120T2G

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Artikelnummer:
APTGFQ25H120T2G
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
IGBT 1200V 40A 227W MODULE.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Leistungstreibermodule, Dioden - Zener - Arrays and Thyristoren - SCRs - Module ...
Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGFQ25H120T2G Produkteigenschaften

Artikelnummer : APTGFQ25H120T2G
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : IGBT 1200V 40A 227W MODULE
Serie : -
Teilestatus : Not For New Designs
IGBT-Typ : NPT and Fieldstop
Aufbau : Full Bridge
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 40A
Leistung max : 227W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 25A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 2.02nF @ 25V
Eingang : Standard
NTC-Thermistor : Yes
Betriebstemperatur : -
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : SP2
Supplier Device Package : SP2

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