APTGFQ25H120T2G Preise (USD) [1573Stück Lager]
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- 100 pcs$23.16537
- Artikelnummer:
- APTGFQ25H120T2G
- Hersteller:
- Microsemi Corporation
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 1200V 40A 227W MODULE.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - Zener - Arrays, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Programmierbare Einheit and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
- Wettbewerbsvorteil:
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APTGFQ25H120T2G Produkteigenschaften
Artikelnummer :
APTGFQ25H120T2G
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
IGBT 1200V 40A 227W MODULE
Serie :
-
Teilestatus :
Not For New Designs
IGBT-Typ :
NPT and Fieldstop
Aufbau :
Full Bridge
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
40A
Leistung max :
227W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 25A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce :
2.02nF @ 25V
Eingang :
Standard
NTC-Thermistor :
Yes
Betriebstemperatur :
-
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
SP2
Supplier Device Package :
SP2
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