Vishay Semiconductor Diodes Division - VSSB410S-M3/52T

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Artikelnummer:
VSSB410S-M3/52T
Hersteller:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detaillierte Beschreibung:
DIODE SCHOTTKY 100V 1.9A DO214AA. Schottky Diodes & Rectifiers 4A,100V,TRENCH SKY RECT.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - TRIACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - IGBTs - Arrays, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF and Transistoren - IGBTs - Module ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Vishay Semiconductor Diodes Division VSSB410S-M3/52T elektronische Komponenten. VSSB410S-M3/52T kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu VSSB410S-M3/52T haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VSSB410S-M3/52T Produkteigenschaften

Artikelnummer : VSSB410S-M3/52T
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : DIODE SCHOTTKY 100V 1.9A DO214AA
Serie : TMBS®
Teilestatus : Active
Diodentyp : Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 100V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1.9A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 770mV @ 4A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 250µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F : 230pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : DO-214AA, SMB
Supplier Device Package : DO-214AA (SMB)
Betriebstemperatur - Übergang : -40°C ~ 150°C

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