FDB5800 Preise (USD) [69538Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FDB5800
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - Brückengleichrichter and Transistoren - IGBTs - Module ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDB5800 elektronische Komponenten. FDB5800 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDB5800 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FDB5800 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FDB5800
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Serie :
PowerTrench®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
14A (Ta), 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
135nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
6625pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
242W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D²PAK
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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